- ширина зоны полупроводника
- larghezza di banda
Dictionnaire technique russo-italien. 2013.
ширина зоны полупроводника
Смотреть что такое "ширина зоны полупроводника" в других словарях:
ширина запрещенной зоны полупроводника — ширина запрещенной зоны Разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы ширина запрещенной зоны … Справочник технического переводчика
Ширина запрещенной зоны полупроводника — 79. Ширина запрещенной зоны полупроводника Ширина запрещенной зоны Разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ширина — 3.11 ширина (width): Размер самой длинной кромки карты. Источник: ГОСТ Р ИСО/МЭК 15457 1 2006: Карты идентификационные. Карты тонкие гибкие. Часть 1. Физические характеристики … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
МДП-СТРУКТУРА — (металл диэлектрик полупроводник) структура, образованная пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлич. электродом (затвором M, рис. 1). При подаче на МДП с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с … Физическая энциклопедия
полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь
СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ — (батарея солнечных элементов) устройство … Физическая энциклопедия
Бандгап — Зависимость напряжения на выходе ИС TL431 простейшего бандгапа по трёхтранзисторной схеме Видлара от температуры. Средняя кривая идеальное попадание VREF в номинальное значение (2,495В), верхняя и н … Википедия
Электронно-дырочный переход — (p n переход) область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… … Большая советская энциклопедия
Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН) базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… … Википедия
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
